晶圆级可靠性
WLR0010
高温带电可靠性测试系统
晶圆级可靠性测试系统 WLR0010 是针对半导体晶圆级器性的高温带电可靠性测试系统,产品根据JEDEC 标准可实现对器件的栅氧化层可靠性进行快速测试,同时多模式、高并行测试数量大大降低了测试周期和成本。
特点
支持高压测试
高达3500V高并测数
高达768DUTs多通道测量
实现不同测试模式的自动切换和自由组合支持晶圆级、封装级的测试
平台统一支持JEDEC器件可靠性测试标准
支持On-the-fly测试
和数据分析软件支持不同封装器件
通过更换Board和晶圆探针卡即可温度和电应力可调
功能
技术指标
测试项 |
TDDB/HCI/NBTI/EM |
|
并测数 |
系统 |
768 DUTs(Max) |
单板 |
32 DUTs(Max) |
|
单板源 |
30 Source |
|
电压 |
±(20V~3500V) |
|
电压精度 |
±20V |
0.2%RD±5mV |
±200V |
0.2%RD±50mV |
|
±2000 V |
0.2%RD±200mV |
|
±3500 V |
0.2%RD±300mV |
|
电压分辨率 |
10 μV |
|
电流精度 |
10mA~100mA |
0.2%RD±500μA |
1mA~10mA |
0.2%RD±50μA |
|
100μA~1mA |
0.2%RD±500nA |
|
10μA~100μA |
0.2%RD±50nA |
|
1μA~10μA |
0.2%RD±5nA |
|
100nA~1μA |
0.2%RD±500pA |
|
10nA~100nA |
0.2%RD±50pA |
|
1nA~10nA |
0.2%RD±5pA |
|
10pA~1nA |
0.2%RD±200fA |
|
电流分辨率 |
10 fA |
|
温度范围 |
(RT+10℃)~+200℃ (TDDB/HCI/NBTI) |
|
其他 |
Support On-the-fly Test Support Vth Scan:0~200V Support Vramp Test Over Voltage/Current monitor |
精度测量条件:温度 23±5度,湿度35%-60%,系统运行时间1小时,积分时间为LONG(1nA以下)
电压源/表指标 |
|||||
电压精度 |
量程 |
分辨率 |
精度(1年) ±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10Hz |
|
高压源 |
±3500 V |
40 mV |
0.02%+600 mV |
50 mV |
|
±1500 V |
20 mV |
0.02%+300 mV |
25 mV |
||
±600 V |
7mV |
0.02%+120 mV |
10 mV |
||
低压源 |
±200 V |
100 μV |
0.02% + 40 mV |
1mV |
|
±20 V |
10 μV |
0.02% + 5 mV |
200μV |
||
±6 V |
1 μV |
0.02% + 500 μV |
60μV |
||
温度系数 |
±(0.15 × 精度指标)/°C (0℃-18℃,28℃-50℃) |
||||
设置时间 |
<±1% (典型值, Normal,步进是范围 10% 至 90%,满量程点,电阻性负载测试) |
||||
过冲 |
<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试) |
电流源/表指标 |
||||
电流精度 |
量程 |
分辨率 |
精度(1 年) ±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10Hz |
±15 mA |
10 nA |
0.02% +2 μA |
±15 mA |
|
±1.5 mA |
1 nA |
0.2% + 150 nA |
±1.5 mA |
|
±150 μA |
100 pA |
0.2% + 20 nA |
±150 μA |
|
±15 μA |
10 pA |
0.2% +3 nA |
±15 μA |
|
±1.5 μA |
1 pA |
0.3% + 600 pA |
±1.5 μA |
|
±150 nA |
100fA |
0.5% + 300 pA |
±150 nA |
|
±10 nA |
10 fA |
0.5% + 5 pA |
1 pA |
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/°C(0℃-18℃,28℃-50℃) |
|||
设置时间 |
<±1% (典型值,Normal,步进是范围的10%至90%) |
|||
过冲 |
<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试) |
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