发布日期：2023.11.23
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导读：
功率半导体器件(Power Semiconductor Device)是电力电子装置实现电能转换、电源管理的核心器件，主要功能有变频、变压、整流、功率转换和管理等，电压处理范围从几十伏到几千伏，电流能力最高可达几千安培。联讯仪器3500V 高压源表S3030F 设计用于高压电子和功率半导体器件的特性测试以及其他一些需要高压和高精度测量的元器件和材料的表征。
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特点优势
S3030F能够提供最大±3500V、±120mA（直流）、最大10 GΩ电阻测量范围及最大180W 功率输出, 广泛地应用在功率半导体特性，GaN、SiC表征，复合材料，高压漏电流等测试和研究领域。
1>高压大功率
±3500V/±120mA（直流）/180W
2>高精度测量
测量分辨率高达1fA/100uV
3>高速测量
最高1M的ADC采样率
4>支持超大电阻测量
最大电阻测量范围10GΩ
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高压源表应用举例
1>SiC MOSFET 漏极截止电流测试 IDSS
IDSS: 当在栅极和源极短路的情况下在漏极与源极之间施加指定电压时产生的漏电流
SiC MOSFET V (BR)DSS 测试：
在栅极和源极短路的情况下，利用高压源表在漏极和源极之间进行电流扫描，如上图所示，利用List扫描功能，扫描电流源输出20 uA，200 uA,1000 uA,5000 uA,10000 uA，扫描同时利用高压源表测量VDS两端电压。
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联讯仪器精密源表系列
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