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硅光测试

sCT9001

硅光是以光子和电子为信息载体的硅基光电子大规模集成技术,能够大大提高集成芯片的性能,是大数据、人工智能、移动通信等新兴产业的基础性支撑技术,可广泛应用于大数据中心、5G、物联网等产业。硅光技术,利用硅材料中的光子、电子及光电子器件的工作机理和光电特性,采用与集成电路兼容的微纳米加工工艺,在硅晶圆上开发制造光电子芯片。

特点


  • 支持全自动与半自动方式上下晶圆片;

  • 支持8寸与6寸晶圆;

  • 支持测试温度范围室温~150℃(其它温度可定制);

  • 支持光光测试,光电测试,电电参数测试;

  • 支持DC与AC测试;

  • 支持光栅垂直耦合;

  • 针对不同类型芯片,支持快速更换不同类型针卡;

  • 软件支持增加客户数据库与MES功能;

功能与优势

  • 高精度探针台

    •晶圆上料模式支持全自动模式与半自动模式作业,适用于实验室验证与大规模量产使用;
    •全闭环高精度运动控制系统,自动精度补偿,定位精度高达3um;
    •特殊机构设计与校准系统确保晶圆片在Chuck上具有更高的平面度与探针Z方向的垂直度;
    •配置高清变倍CCD,加电PAD清晰可见,且能同时显示低倍与高倍多视野画面。
    •内置一体化防震设计,且可隔离外部震动,确保良好的测试稳定性;
  • 界面简洁易操作

    •耦合测试模组包含耦合光探针、DC直流探针与RF射频探针;
    •光探针支持单路耦合与双路耦合;
    •光探针带有高精度测高仪,确保不同芯片间入射光纤端面到芯片表面高度的一致性;
    •光纤耦合模组由三维丝杠电机配合三维高精度压电陶瓷模组组成,确保光路耦合效率与耦合重复性;
    •采用标准高精度耦合控制器,全闭环控制+硬件同步,提高耦合精度与耦合速度;
    •探针卡固定座的设计更加方便探针卡的更换,便于不同产品或不同测试项目实现快速更换探针卡;
测试参数
参数类型 测试参数 参数指标 定义
O/O Waveguide Loss dB/cm 波导传输损坏
Coupling Strength % 耦合效率,DUT接收到的光功率与入射光功率的比值
O/E PD Responsivity A/W PD响应度,PD探测器将接收到的光转换成电流的效率
Modulator ER dB 静态消光比,调制器在不同偏置电压下吸收后光功率的最大值与最小值的比值
E/E PD Dark Current nA PD暗电流,在无光条件下对PD增加偏置电压测得的反馈电流
Heat Resistance Ω 热阻抗
Modulator Resistance Ω 调制器电阻
系统测试指标
序号 规格 指标
支持晶圆尺寸 4寸~8寸
温度范围 RT~150℃
温度均匀性 <±0.5℃
25℃~150℃ <15 mins
150℃~25℃ <20 mins
上下料方式 自动与手动
测试类型 DC测试,可升级支持AC
测试项目 O/O,O/E,E/E
Wafer Map功能 可编辑且自动生成Map,且显示每个Die坐标
分Bin功能 支持分Bin,多种颜色区别测试结果,且显示不同颜色数量与比例
自动清针功能 支持
CCD自动聚焦功能 支持
相机监控画面 支持低倍与高倍画面多视野
EMI屏蔽 >20dB @1KHz-1MHz
光谱噪声基底 ≦150dBVrms/rtHz(≦1MHz)
系统AC噪声 ≦15mVp-p(≦1GHz)

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