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晶圆级可靠性

WLR075S

联讯仪器WLR075S碳化硅晶圆老化系统,最多配置12个老化大单层, 每个老化大单层支持4&6寸晶圆,每个晶圆同时进行最大1024个产品的HTGB老化,能广泛的应用在功率半导体特性,GaN、SiC表征,复合材料,晶元工艺等测试和研究领域。

特点

  • 同时支持HTGB

    相比GB&RB兼容,这个有更高的容量
  • Vgs(th)测试功能

    可以在老化过程中切换为
    Vth测试,单颗产品测试
  • 实时监控栅极电流

    及时发现产品异常,记录异常时的数据
  • 电流最小测量分辨率可达0.1nA

    精确测量漏电流
  • GB电压最高75V

    为后续工艺优化留Buffer
  • 监控电流采样速率

    1024颗产品轮询在1分钟以内
  • 产品异常保护功能

    有栅极保护电路,短路时可以关闭输出
  • 加热功率,温控精度

    支设计加热功率200W,升温速度常温到175℃小于20分钟,控温精度±1℃,分辨率0.1℃
栅极电压源指标
电压设置精度 量程 设置分辨率 精度(1年) ±(%读数+偏置)
±75 V 10 mV 0.1%+0.2 V
±20 V 5 mV 0.1%+0.1 V
过冲 <1% (典型值)
总功率 100 mW
通道数量 1024(每个老化大单层)
栅极电压表指标
电压表显示精度 量程 显示分辨率 精度(1年) ±(%读数+偏置)
±75 V 10 mV 0.1%+0.2 V
±20 V 5 mV 0.1%+0.1 V
通道数量 1024(每个老化大单层)
栅极电流表指标
电流显示精度 量程 显示分辨率 精度(1年) ±(%读数+偏置)
10 uA 500 pA 0.1% + 50 nA
1uA 50 pA 0.1% + 5 nA
100 nA 10 pA 0.1% + 0.5 nA
10 nA 1pA 0.1% + 0.1 nA
通道数量 8路(128路一个表)

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