晶圆级老化
WLBI3700
HTGB晶圆老化系统
WLBI3700晶圆老化系统 最多配置8个老化大单层, 每个老化大单层支持6&8寸晶圆,每个晶圆同时进行最大1500个产品的HTGB老化,支持系统中Igss和Vth的测试,能广泛应用在功率半导体特性,GaN、SiC表征,复合材料,晶元工艺等测试和研究领域
特点
同时支持HTGB
相比 GB&RB 兼容,这个有更高的容量测试功能多
支持参数测试Lgss、Igss、Vth.实时监控栅极电流
及时发现产品异常,记录异常时的数据电流最小测量分辨率可达0.1nA
精确测量漏电流耐高温设计
加热组件和夹具耐高温,满足175℃老化需求支持氮气保护
防止PAD氧化产品异常保护功能
系统硬件过流保护,短路电流瞬时响应加热功率,温控精度
温度均匀性120℃~175℃为±3 ℃、准确性<1 ℃、分辨率0.1 ℃;小于120 ℃为±2 ℃,准确性<1 ℃、分辨率0.1 ℃功能与优势
夹具设计
夹具分为两个部部分Chuck和Probe card。每个老化夹具可以装一片6寸晶圆或者8寸晶圆。
Probe card装有满足晶圆上die通道数量的Pogo Pin,Pogo Pin寿命为10万次压接,耐温175度,定位精度为±25um。
Chuck外框密封保压设计,最高保压0.4mPa,防止高温氧化。Chuck 内有两个温度sensor,一个作为控温使用,另一个为温度保护监控。
单层抽屉设计
每层老化系统可以独立运行,内部12块继电器板,12块电流采集板满足1500CH 晶圆老化。 每个通道电路支持单路保护,当有die短路失效,可以保护线路安全,也可保护旁边产品不受影响。
整机设计
整机分为老化单层部分和电气部分。 居于机架左侧,分别放置8层老化单层。机架右侧为电气箱,每层独立一个电气箱,支持每层独立运行。栅极电压源指标 | |||
电压设置精度 | 量程 | 设置分辨率 | 精度(1年) ±(%读数+偏置) |
±70 V | 10 mV | 0.1%+0.2 V | |
±20 V | 5 mV | 0.1%+0.1 V | |
过冲 | <1% (典型值) | ||
总功率 | 30 W | ||
通道数量 | 1路(每个老化大单层) | ||
栅极电压表指标 | |||
电压表显示精度 | 量程 | 显示分辨率 | 精度(1年) ±(%读数+偏置) |
±70 V | 10 mV | 0.1%+0.2 V | |
±20 V | 5 mV | 0.1%+0.1 V | |
通道数量 | 1路(每个老化大单层) | ||
栅极电流表指标 | |||
电流显示精度 | 量程 | 显示分辨率 | 精度(1年) ±(%读数+偏置) |
10 μA | 500 pA | 0.1% + 50 nA | |
1μA | 50 pA | 0.1% + 5 nA | |
100 nA | 10 pA | 0.1% + 0.5 nA | |
通道数量 | 12路(125路一个表) |
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