特点
支持Si/GaN/SiC晶圆的WAT测试
灵活配置Pin数
最多支持48Pin全开尔文连接PINBOARD板卡完全自研
支持per-pinSMU和per-pinSPGU高精度
电流测量精度<1pA,分辨率1fA,最大范围1A 电压测量精度<50μV,分辨率100nV,最大范围200V测量范围精准
电容测试频率1kHz到1MHz,100fF到100nF测量范围SPGU输出电压±40V
输出频率0.1Hz~5MHz漏电流
整机漏电流小于500fA高适配、全兼容
支持所有主流Prober(TEL P8XL/P12/P12XL/Precio XL,TSK UF200/UF3000/UF3000EX等)
参数/配置 |
功能 |
系统pin数 |
3-48pin |
SMU数量 |
3-48通道 |
SPGU数量 |
3-48通道 |
标准SMU |
200 V/1 A |
Chuck Bias SMU |
200 V/1 A |
最小电压分辨率 |
100nV |
最小电流分辨率 |
1 fA |
最高采样速度 |
1 M/s |
最小电流测量精度 |
1 pA |
最小电压测量精度 |
50 μV |
典型漏电流 |
<500 fA |
电容测量范围 |
100 nF |
电容测量Bias电压 |
±40V |
典型电容测量精度 |
0.5% |
SPGU输出幅值 |
±40V(开路) |
SPGU输出频率 |
0.1Hz ~5MHz |
主要测量项目 |
Id-Vd,Id-Vg,Vth,BV,Ig,Ioff,Gm |
MIM_CAP,C & G |
|
Ic-Vc,BETA,BV |
|
Ron,R_tlm,Rsh_van |
|
Spot,Sweep,Search |
|
Kelvin & Non-Kelvin |
|
Differential Voltage |
|
Frequency |
|
HCI,BTI/NBTI,TDDB |
|
DUT类型 |
MOSFET,BJT,Diode,Resistor,Capacitor等 |
探针卡适配器 |
兼容Keysight 4070/4080系列探针卡 |
工厂自动化 |
SECS/GEM (E5/E30/E37/E84/E90/E94) |
电压源/表指标 |
||||
电压精度 |
量程 |
分辨率 |
精度(1年)±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
±200 V |
100 μV |
0.03%+10 mV |
400 μV |
|
±40 V |
10 μV |
0.03%+2 mV |
100 μV |
|
±20 V |
10 μV |
0.03%+1 mV |
50 μV |
|
±2 V |
1 μV |
0.03%+100 μV |
10 μV |
|
±0.2 V |
100 nV |
0.03%+50 μV |
5 μV |
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃) |
|||
设置时间 |
<100 μs(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%) |
|||
过冲 |
<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试) |
|||
电流源/表指标 |
||||
电流精度 |
量程 |
分辨率 |
精度(1 年) ±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
±1 A |
100 nA |
0.03% + 90 μA |
3 μA |
|
±100 mA |
10 nA |
0.03% + 9 μA |
200 nA |
|
±10 mA |
1 nA |
0.03% + 900 nA |
20 nA |
|
±1 mA |
100 pA |
0.03% + 90 nA |
2 nA |
|
±100 μA |
10 pA |
0.03% + 9 nA |
200 pA |
|
±10 μA |
1 pA |
0.03% +1 nA |
30 pA |
|
±1 μA |
100 fA |
0.03% + 200 pA |
10 pA |
|
±100 nA |
100 fA |
0.06% +30 pA |
5 pA |
|
±10 nA |
10 fA |
0.06% +9 pA |
300 fA |
|
±1 nA |
1 fA |
0.1% +3 pA |
60 fA |
|
±100 pA |
1 fA |
0.3% +1 pA |
30 fA |
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃,28℃-50℃) |
|||
设置时间 |
<100 μs(典型值,Normal,步进是范围的10%至90%) |
|||
过冲 |
<±0.1%(典型值,满量程点,电阻性负载测试) |
精度测量条件:温度 23±5度,湿度35%-60%,系统运行时间1小时,积分时间为LONG(1nA以下)
频率 |
C量程 |
电容测量精度 |
电导测量精度 |
1 MHz |
1 nF |
2.0% |
2.0% |
100 pF |
1.0% |
2.0% |
|
10 pF |
1.0% |
2.0% |
|
100 kHz |
1 nF |
0.5% |
1.0% |
100 pF |
0.5% |
1.0% |
|
10 pF |
0.5% |
1.0% |
|
10 kHz |
1 nF |
0.3% |
0.5% |
100 pF |
0.3% |
0.5% |
|
10 pF |
0.5% |
0.5% |
|
1 kHz |
1 nF |
0.3% |
0.5% |
100 pF |
0.3% |
1.0% |
|
10 pF |
1.0% |
1.0% |
*Cm 为电容测量值,Gm 为电导测量值,F 为频率
*Dissipation D = Gm/(2*F*Cm)
*电容测量使用Keysight E4980A 或同惠TH2838;
测量条件:Vrms=30mV,bias=0V,Integration time=LONG,AVG=1
项目 |
测试条件 |
技术指标 |
电压幅值 |
50Ω负载 |
-20V ~ +20V |
开路 |
-40V ~ +40V |
|
输出电压精度 |
开路 |
±(1%+100mV) |
电压幅值分辨率 |
50Ω负载 |
2.5mV |
开路 |
5mV |
|
输出接口 |
|
BNC/pogoset |
内阻 |
|
50Ω ± 1% |
输出电流 |
|
800 mA峰值 (400 mA 均值) |
输出过冲(振铃) |
50Ω负载 |
±(5%+20mV) |
项目 |
子项目 |
技术指标 |
频率范围 |
|
0.1Hz ~5MHz |
脉冲周期 |
可编程范围 |
200ns ~ 10s |
分辨率 |
50ns |
|
精度 |
±1%(0.01%+200ps) |
|
脉冲宽度 |
可编程范围 |
100ns ~(脉冲周期 -100ns) |
分辨率 |
50ns |
|
精度 |
±(5%+2ns) |
|
脉冲过程时间(Tr和Tf) |
最小值(10%~90%边沿) |
<100ns |
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