半导体参数测试
WAT6300
WAT串行高压半导体参数测试系统
WAT6300是一台串行高压半导体参数测试系统，可灵活配置Pin数，最多支持24Pin，兼容市场主流WAT程序探针卡、应用等。
特点
高精度
电流测量精度< 1pA, 分辨率1fA, 低压最大范围1A，高压最大范围120mA； 电压测量精度<50μV，分辨率100nV，最大范围3500V
支持多种晶圆的WAT测试
支持 Si/GaN/SiC
灵活配置Pin数
最多支持24Pin，可灵活配置Pin数
自研SMU
基于商用或联讯仪器自研SMU板卡
电容测试频率
1kHz到1MHz，100fF到100nF测量范围
支持所有主流Prober
TEL P8XL/P12/P12XL/Precio XL, TSK UF200/UF3000/UF3000EX等
高适配、全兼容
适配Keysight 4070/4080机台所用的探针卡
高效的ptSemight软件环境
软件支持SECS/GEM，可接入客户EAP
| 参数/配置 | 功能 |
| 系统pin数 | 3 - 24 pin |
| SMU数量 | 3-8个 |
| 标准SMU | 200 V/1 A |
| Chuck Bias SMU | 3500 V/120mA |
| 开关矩阵 |
低压：14x36，<100 fA漏电流（低漏电通道） 高压：4合1，＜100 pA 漏电流 |
| 最小电压分辨率 | 100 nV |
| 最小电流分辨率 | 1 fA |
| 最高采样速度 | 1 M/s |
| 最小电流测量精度 | 1 pA |
| 最小电压测量精度 | 50 μV |
| 典型漏电流 | <1 pA |
| 电容范围 | 100 nF |
| 电容测量精度 | 0.5% |
|
主要测量项目 |
Id-Vd， Id-Vg， Vth， BV， Ig， Ioff， Gm |
| MIM_CAP， C & G | |
| Ic-Vc， BETA， BV | |
| Ron， R_tlm， Rsh_van | |
| Spot， Sweep， Search | |
| Kelvin & Non-Kelvin | |
| Differential Voltage | |
| Frequency | |
| HCI， BTI/NBTI， TDDB | |
| DUT类型 | MOSFET，BJT， Diode， Resistor， Capacitor等 |
| 探针卡适配器 | 兼容 Keysight 4070/4080 系列探针卡 |
| 工厂自动化 | SECS/GEM (E5/E30/E37/E84/E90/E94) |
|
电压源/表指标 |
||||
|
电压精度 |
量程 |
分辨率 |
精度(1年)±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±200 V |
100 μV |
0.03%+10 mV |
400 μV |
|
|
±40 V |
10 μV |
0.03%+2 mV |
100 μV |
|
|
±20 V |
10 μV |
0.03%+1 mV |
50 μV |
|
|
±2 V |
1 μV |
0.03%+100 μV |
10 μV |
|
|
±0.6 V |
100 nV |
0.03%+50 μV |
2 μV |
|
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
设置时间 |
<100 μs(典型值，Normal，步进是范围的10%至90%) |
|||
|
过冲 |
<±0.1%(典型值，满量程点，电阻性负载测试) |
|||
|
电流源/表指标 |
||||
|
电流精度 |
量程 |
分辨率 |
精度(1 年) ±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±1 A |
100 nA |
0.03% + 90 μA |
3 μA |
|
|
±100 mA |
10 nA |
0.03% + 9 μA |
200 nA |
|
|
±10 mA |
1 nA |
0.03% + 900 nA |
20 nA |
|
|
±1 mA |
100 pA |
0.03% + 90 nA |
2 nA |
|
|
±100 μA |
10 pA |
0.03% + 9 nA |
200 pA |
|
|
±1 μA |
100 fA |
0.03% + 200 pA |
10 pA |
|
|
±10 nA |
10 fA |
0.06% +9 pA |
300 fA |
|
|
±1 nA |
1 fA |
0.1% +3 pA |
60 fA |
|
|
±100 pA |
1 fA |
0.3% +1 pA |
30 fA |
|
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
设置时间 |
<100 μs(典型值，Normal，步进是范围的10%至90%) |
|||
|
过冲 |
<±0.1%(典型值，满量程点，电阻性负载测试) |
|||
|
电压源/表指标 |
||||
|
电压精度 |
量程 |
测量分辨率 |
精度(1年)±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±3500 V |
40mV |
0.02%+600 mV |
50 mV |
|
|
±2500 V |
30mV |
0.02%+450 mV |
40 mV |
|
|
±1500 V |
20mV |
0.02%+300 mV |
25 mV |
|
|
±600 V |
7mV |
0.02%+120 mV |
10 mV |
|
|
±200 V |
3mV |
0.02%+40 mV |
3 mV |
|
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
设置时间 |
<5 ms(典型值，Normal，步进是范围的10%至90%) |
|||
|
过冲 |
<±0.1%(典型值，满量程点，电阻性负载测试) |
|||
|
|
||||
|
电流源/表指标 |
||||
|
电流精度 |
量程 |
测量分辨率 |
精度(1 年) ±(%读数+偏置) |
典型噪声(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±120 mA1 |
3 uA |
0.02% + 35 μA |
120 uA |
|
|
±20 mA |
400 nA |
0.02% + 15 μA |
20 uA |
|
|
±10 mA |
200 nA |
0.02% + 3 uA |
10 uA |
|
|
±1 mA |
20 nA |
0.02% + 300 nA |
1 uA |
|
|
±100 μA |
2 nA |
0.02% + 30 nA |
100 nA |
|
|
±10 μA |
200 pA |
0.03% + 5 nA |
10 nA |
|
|
±1 μA |
20 pA |
0.03% + 1 nA |
1 nA |
|
|
±100 nA |
2 pA |
0.2% +100 pA+Vo x 100 fA |
100 pA |
|
|
±10 nA |
200 fA |
0.2% + 10 pA+ Vo x 10 fA |
10 pA |
|
|
±1 nA |
20 fA |
0.2% + 5 pA+ Vo x 1 fA |
1 pA |
|
|
温度系数 |
±(0.15×精度指标)/℃(0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
设置时间 |
<10 ms(典型值，Normal，步进是范围的10%至90%) |
|||
|
过冲 |
<±0.1%(典型值，满量程点，电阻性负载测试) |
|||
精度测量条件：温度 23±5度，湿度35%-60%，系统运行时间1小时，积分时间为LONG（100nA以下）
|
频率 |
C量程 |
电容测量精度 |
电导测量精度 |
|
1 MHz |
1 nF |
2.0% |
2.0% |
|
100 pF |
1.0% |
2.0% |
|
|
10 pF |
1.0% |
2.0% |
|
|
100 kHz |
1 nF |
0.5% |
1.0% |
|
100 pF |
0.5% |
1.0% |
|
|
10 pF |
0.5% |
1.0% |
|
|
10 kHz |
1 nF |
0.3% |
0.5% |
|
100 pF |
0.3% |
0.5% |
|
|
10 pF |
0.5% |
0.5% |
|
|
1 kHz |
1 nF |
0.3% |
0.5% |
|
100 pF |
0.3% |
1.0% |
|
|
10 pF |
1.0% |
1.0% |
*Cm 为电容测量值，Gm 为电导测量值，F 为频率
*Dissipation D = Gm/(2*F*Cm)
*电容测量使用Keysight E4980AL;
测量条件：Vrms=30mV，bias=0V，Integration time=LONG，AVG=1
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