晶圆级老化
WLBI3800
晶圆级全自动老化一体机
WLBI3800 系统设计用于一次进行3个晶圆的单次HTGB和HTRB老化，可以自动上料和下料，兼容2,3,4,6,8寸晶圆，双卡塞设计可以无缝老化，可以自动切换老化条件，可以对每个产品进行Vth的测试，可以根据不同配 置需求满足不同成本要求，给客户进行可配置的研发应用和高容量生产应用，老化时间可以从几分钟 到几十个小时，甚至几千小时，每通道单独的过电流保护来被测器件，可以提供MAP数据用于分析。
特点
兼容2,3,4,6,8寸晶圆
HTGB和HTRB集成在一个抽屉
支持参数测试Idss、Igss、Vth.
支持MAP数据绑定，数据可追溯
支持3PCS晶圆同时老化
单层最高支持2112通道同时老化（通道数量可配置）
高精度漏电流测试
最高精度漏电流分辨率可以到0.1nA
支持针痕重复定位
精度±25um
支持氮气保护
防止高压打火和PAD氧化
支持卡塞上卡塞下全自动老化
支持双卡塞设计，可以进行无缝老化
高耐温设计，温控精度
抽屉加热相关都耐200度设计，最高长时间工作温度175度功能与优势
系统将上下料机和晶圆老化设备结合到一起，可以支持3层同时老化，可以一次进行3个晶圆的单次HTGB和HTRB老化，双卡塞设计可以无缝老化，可以自动切换老化条件，可以同时支持双25PCS卡塞，可以进行顺序自动化老化，人工干预度低，自动化程度高。
夹具耐压指标
夹具最大耐压2000V抽屉耐压指标
抽屉最大耐压2000V
|
电压设置精度 |
量程 |
设置分辨率 |
精度(1 年) ±(%读数+ 偏置) |
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2000 V |
100 mV |
0.5%+10 V |
|
|
70 V |
1 mV |
0.1%+0.2 V |
|
|
过冲 |
<1% (典型值) |
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|
总功率 |
300 W |
||
|
通道数量 |
1（每个老化大单层） |
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|
电压表显示精度 |
量程 |
显示分辨率 |
精度(1 年) ±(% 读数+偏置) |
|
2000 V |
100 mV |
0.5%+10 V |
|
|
70 V |
1 mV |
0.1%+0.2 V |
|
|
通道数量 |
1（每个老化大单层） |
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电流显示精度 |
量程 |
显示分辨率 |
精度(1 年) ±(% 读数+偏置) |
|
1 mA |
0.1uA |
0.1%+ 50 nA |
|
|
100 μA |
10 nA |
0.1%+ 10 nA |
|
|
10 μA |
1 nA |
0.1% + 5 nA |
|
|
1 μA |
0.1 nA |
0.1% + 1 nA |
|
|
通道数量 |
22（每个老化大单层） |
||
|
电压设置精度 |
量程 |
设置分辨率 |
精度(1 年) ±(%读数+ 偏置) |
|
±70 V |
1 m V |
0.1%+0.2 V |
|
|
过冲 |
<1% (典型值) |
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|
总功率 |
30 W |
||
|
通道数量 |
1（每个老化大单层） |
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|
电压表显示精度 |
量程 |
显示分辨率 |
精度(1 年) ±(% 读数+偏置) |
|
±70 V |
1 mV |
0.1%+0.2 V |
|
|
通道数量 |
1（每个老化大单层） |
||
|
电流显示精度 |
量程 |
显示分辨率 |
精度(1 年) ±(% 读数+偏置) |
|
100 μA |
10 nA |
0.1%+ 10 nA |
|
|
10 μA |
1 nA |
0.1% + 5 nA |
|
|
1 μA |
0.1 nA |
0.1% + 1 nA |
|
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100 nA |
10 pA |
1% + 0.5 nA |
|
|
通道数量 |
22 路,（每个老化大单层） |
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|
电流显示精度 |
量程 |
显示分辨率 |
精度(1 年) ±(% 读数+偏置) |
|
100 mA |
10 uA |
0.1% + 100 μA |
|
|
10 mA |
1 uA |
0.1% + 10 μA |
|
|
1 mA |
100 nA |
0.1% + 5 μA |
|
|
通道数量 |
1 路（每个老化大单层） |
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