WLR3500 碳化硅高压晶圆老化系统-苏州联讯仪器股份有限公司

晶圆级老化

WLR3500

碳化硅高压晶圆老化系统

碳化硅高压晶圆老化系统WLR3500 设计用于一次进行6个晶圆的单次HTGB和HTRB老化，可以自动切换老化条件，可以对每个die进行Vth的测试，根据不同配置需求满足不同成本要求，给客户进行可配置的研发应用和高容量生产应用，老化时间可以从几分钟到几十个小时，甚至几千小时，每通道单独的过电流保护来保护被测器件，可以提供MAP数据用于分析。

申请样机

特点

支持多种晶圆老化
支持SiC，GaN晶圆产品的老化
高精度参数测试
支持参数测试 Idss、Igss、Vth
高温高湿可靠性
恒IDS/ICE控制老化功能
高精度漏电流测试
最高精度漏电流分辨率可以到0.1 nA
氮气保护
支持氮气保护，防止高压打火和PAD氧化
过流保护
过流保护，短路电流瞬时响应<100 ns
高耐温设计
抽屉加热相关耐200度设计
温度均匀性高
均匀性±3℃，准确性<1℃，分辨率0.1℃

功能与优势

夹具设计

Probe card装有满足晶圆上die通道数量的Pogo Pin，Pogo Pin寿命为10万次压接，耐温175度，定位精度为±50μm；Chuck带加热功能，加热功率300W，室温到175度20分钟以内，热沉内部有温度传感器，温度均匀性可以做到±3℃，精度小于1℃，分辨率0.1℃。有陶瓷板进行高压隔离，外框可以进行密封耐压，最高耐压0.4mPa,可以防止高压打火。

夹具分为Chuck和Probe card两个部分，通过Aligner设备将晶圆和探针卡组合起来，放到老化系统进行老化。
单层抽屉设计
每层电路独立控制，可以实现不同单层工作在不同模式，可以通过调用老化Plan进行不同的老化验证

参数	指标
适用产品	GaN, SiC Wafer
适用封装	4寸，6寸 Wafer
老化参数	HTGB, HTRB
测试参数	Igss, Idss, Vth
系统尺寸(mm)	2100(W) X 1900(H) X 1800(D)
系统功耗	<32 kW
氮气保护	>0.6 mPa接入
温度范围	常温-175 ℃
电压范围	栅极±75 V，源极2000 V
系统通道	720
系统层数	6 层
电流电压过冲	任何情况下没有过冲
MES对接	支持 MES 对接

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