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晶圆级老化

WLBI3700

HTGB晶圆老化系统


WLBI3700晶圆老化系统 最多配置8个老化大单层, 每个老化大单层支持6&8寸晶圆,每个晶圆同时进行最大1500个产品的HTGB老化,支持系统中IgssVth的测试,能广泛应用在功率半导体特性,GaNSiC表征,复合材料,晶元工艺等测试和研究领域

特点

  • 同时支持HTGB

    相比 GB&RB 兼容,这个有更高的容量
  • 测试功能多

    支持参数测试Lgss、Igss、Vth.
  • 实时监控栅极电流

    及时发现产品异常,记录异常时的数据
  • 电流最小测量分辨率可达0.1nA

    精确测量漏电流
  • 耐高温设计

    加热组件和夹具耐高温,满足175℃老化需求
  • 支持氮气保护

    防止PAD氧化
  • 产品异常保护功能

    系统硬件过流保护,短路电流瞬时响应
  • 加热功率,温控精度

    温度均匀性120℃~175℃为±3 ℃、准确性<1 ℃、分辨率0.1 ℃;小于120 ℃为±2 ℃,准确性<1 ℃、分辨率0.1 ℃

功能与优势


  • 夹具设计

    夹具分为两个部部分Chuck和Probe card。每个老化夹具可以装一片6寸晶圆或者8寸晶圆。

    Probe card装有满足晶圆上die通道数量的Pogo Pin,Pogo Pin寿命为10万次压接,耐温175度,定位精度为±25um。

    Chuck外框密封保压设计,最高保压0.4mPa,防止高温氧化。Chuck 内有两个温度sensor,一个作为控温使用,另一个为温度保护监控。




  • 单层抽屉设计

    每层老化系统可以独立运行,内部12块继电器板,12块电流采集板满足1500CH 晶圆老化。 每个通道电路支持单路保护,当有die短路失效,可以保护线路安全,也可保护旁边产品不受影响。



  • 整机设计

    整机分为老化单层部分和电气部分。 居于机架左侧,分别放置8层老化单层。机架右侧为电气箱,每层独立一个电气箱,支持每层独立运行。



栅极电压源指标
电压设置精度 量程 设置分辨率 精度(1年) ±(%读数+偏置)
±70 V 10 mV 0.1%+0.2 V
±20 V 5 mV 0.1%+0.1 V
过冲 <1% (典型值)
总功率 30 W
通道数量1路(每个老化大单层)
栅极电压表指标
电压表显示精度 量程 显示分辨率 精度(1年) ±(%读数+偏置)
±70 V 10 mV 0.1%+0.2 V
±20 V 5 mV 0.1%+0.1 V
通道数量 1路(每个老化大单层)
栅极电流表指标
电流显示精度 量程 显示分辨率 精度(1年) ±(%读数+偏置)
10 μA 500 pA 0.1% + 50 nA
1μA 50 pA 0.1% + 5 nA
100 nA 10 pA 0.1% + 0.5 nA
通道数量 12路(125路一个表)

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