SiC KGD测试机-苏州联讯仪器股份有限公司

SiC 功率器件迅速发展

功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，本质上，是通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能，无论是水电、核电、火电还是风电，甚至各种电池提供的化学电能，大部分均无法直接使用，需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。功率半导体的具体用途是变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等，相关产品具有节能的作用，被广泛应用于汽车、通信、消费电子和工业领域。

SiC 基功率器件在大功率应用场景具备天然优势，以 SiC 为代表的第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优势，因此采用 SiC 制备的半导体器件在高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等应用领域优势独特。

Yole预测，受新能源汽车和光伏领域应用的强烈推动，SiC功率器件市场规模将从2021 年的 10.90 亿美元增至 2027 年的 62.97 亿美元，CAGR 达 34%。

Known Good Die 测试

KGD(Known Good Die)通过老化/测试等方法，将与前工序生产有关的失效、缺陷隐患的芯片(芯粒、籽芯、管芯)及早剔除在封装之前，提高封装后良率以及满足高密度多芯片封装，减少生产费用与时间，加快产品尽快推向上市。

联讯仪器SiC KGD测试机 PB6200&PT6200

● 全自动测试，支持晶圆、Tape&Reel上料与下料

● 支持多工位并行测试，不同工位支持不同温度与测试项目

● 支持静态、动态、雪崩功能测试，且测试顺序可调

● 支持高温测试，温度范围：室温~200°C

● 支持高温预热与芯片表面防氧化保护

● 加电针卡为密封设计，支持充氮气保护防高压打火与氮气压力监测

● 更高测试效率，测试UPH>1000pcs

PB6200&PT6200

主要技术指标

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